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MOCVD法による強誘電体薄膜の高速大面積成長とメモリ等のデバイスへの実用化研究

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MOCVD法による強誘電体薄膜の高速大面積成長とメモリ等のデバイスへの実用化研究

国立国会図書館請求記号
Y151-H09555099
国立国会図書館書誌ID
000007018865
資料種別
図書
著者
塩嵜, 忠, 京都大学
出版者
-
出版年
1997-2000
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
MOCVD ホウ ニ ヨル キョウ ユウデンタイ ハクマク ノ コウソク ダイ メンセキ セイチョウ ト メモリ トウ ノ デバイス ヘ ノ ジツヨウカ ケンキュウ
著者・編者
塩嵜, 忠, 京都大学
著者標目
著者 : 塩崎, 忠, 1944- シオサキ, タダシ, 1944- ( 00145880 )典拠
出版年月日等
1997-2000
出版年(W3CDTF)
1997
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
強誘電体不揮発性RAM キヨウユウデンタイフキハツセイRAM
Pb (Zr, Ti) O3 PB (ZR, TI) O3
高集積化、大面積成長 コウシユウセキカ、ダイメンセキセイチヨウ
分極反転疲労特性 ブンキヨクハンテンヒロウトクセイ
リーク電流特性 リークデンリユウトクセイ
熱刺激電流法 ネツシゲキデンリユウホウ
ドメインピニングモデル ドメインピニングモデル