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MOCVD法による強誘電体薄膜の高速大面積成長とメモリ等のデバイスへの実用化研究

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MOCVD法による強誘電体薄膜の高速大面積成長とメモリ等のデバイスへの実用化研究

Call No. (NDL)
Y151-H09555099
Bibliographic ID of National Diet Library
000007018865
Material type
図書
Author
塩嵜, 忠, 京都大学
Publisher
-
Publication date
1997-2000
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Note (General)：

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Paper

Material Type
図書
Title
MOCVD法による強誘電体薄膜の高速大面積成長とメモリ等のデバイスへの実用化研究
Title Transcription
MOCVD ホウ ニ ヨル キョウ ユウデンタイ ハクマク ノ コウソク ダイ メンセキ セイチョウ ト メモリ トウ ノ デバイス ヘ ノ ジツヨウカ ケンキュウ
Author/Editor
塩嵜, 忠, 京都大学
Author Heading
著者 ： 塩崎, 忠, 1944- シオサキ, タダシ, 1944- ( 00145880 )Authorities
Publication Date
1997-2000
Publication Date (W3CDTF)
1997
Extent
冊
Additional Title
研究種目 基盤研究(B)
Subject Heading
強誘電体不揮発性RAM キヨウユウデンタイフキハツセイRAM
Pb (Zr, Ti) O3 PB (ZR, TI) O3
高集積化、大面積成長 コウシユウセキカ、ダイメンセキセイチヨウ
分極反転疲労特性 ブンキヨクハンテンヒロウトクセイ
リーク電流特性 リークデンリユウトクセイ
熱刺激電流法 ネツシゲキデンリユウホウ
ドメインピニングモデル ドメインピニングモデル