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シリコン検出器上に直接形成されたCMOS回路の高速熱窒化法による耐放射線化の研究

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シリコン検出器上に直接形成されたCMOS回路の高速熱窒化法による耐放射線化の研究

国立国会図書館請求記号
Y151-H09354003
国立国会図書館書誌ID
000007055624
資料種別
図書
著者
池田, 博一, 高エネルギー加速器研究機構
出版者
-
出版年
1997-1999
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
シリコン ケンシュツキ ジョウ ニ チョクセツ ケイセイ サレタ CMOS カイロ ノ コウソク ネツ チッカホウ ニ ヨル タイホウシャセンカ ノ ケンキュウ
著者・編者
池田, 博一, 高エネルギー加速器研究機構
著者標目
池田, 博一 イケダ, ヒロカズ
出版年月日等
1997-1999
出版年(W3CDTF)
1997
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(A)
件名標目
高エネルギー物理学 コウエネルギーブツリガク
飛跡検出器 ヒセキケンシユツキ
シリコン検出器 シリコンケンシユツキ
CMOS前置増幅器 CMOSゼンチゾウフクキ
CMOS集積回路 CMOSシユウセキカイロ
高速熱窒化法 コウソクネツチツカホウ
放射線損傷 ホウシヤセンソンシヨウ
ラド・ハード ラド・ハード