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シリコン検出器上に直接形成されたCMOS回路の高速熱窒化法による耐放射線化の研究

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シリコン検出器上に直接形成されたCMOS回路の高速熱窒化法による耐放射線化の研究

Call No. (NDL)
Y151-H09354003
Bibliographic ID of National Diet Library
000007055624
Material type
図書
Author
池田, 博一, 高エネルギー加速器研究機構
Publisher
-
Publication date
1997-1999
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
図書
Title Transcription
シリコン ケンシュツキ ジョウ ニ チョクセツ ケイセイ サレタ CMOS カイロ ノ コウソク ネツ チッカホウ ニ ヨル タイホウシャセンカ ノ ケンキュウ
Author/Editor
池田, 博一, 高エネルギー加速器研究機構
Author Heading
池田, 博一 イケダ, ヒロカズ
Publication Date
1997-1999
Publication Date (W3CDTF)
1997
Extent
Additional Title
研究種目 基盤研究(A)
Subject Heading
高エネルギー物理学 コウエネルギーブツリガク
飛跡検出器 ヒセキケンシユツキ
シリコン検出器 シリコンケンシユツキ
CMOS前置増幅器 CMOSゼンチゾウフクキ
CMOS集積回路 CMOSシユウセキカイロ
高速熱窒化法 コウソクネツチツカホウ
放射線損傷 ホウシヤセンソンシヨウ
ラド・ハード ラド・ハード