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量子化イオン照射による半導体ナノ構造の加工と特性制御

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量子化イオン照射による半導体ナノ構造の加工と特性制御

国立国会図書館請求記号
Y151-H09555102
国立国会図書館書誌ID
000007056501
資料種別
図書
著者
大泊, 巌, 早稲田大学
出版者
-
出版年
1997-1999
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
リョウシカ イオン ショウシャ ニ ヨル ハンドウタイ ナノ コウゾウ ノ カコウ ト トクセイ セイギョ
著者・編者
大泊, 巌, 早稲田大学
著者標目
著者 : 大泊, 巌 オオドマリ, イワオ ( 00875965 )典拠
出版年月日等
1997-1999
出版年(W3CDTF)
1997
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
量子化イオン照射法 リヨウシカイオンシヨウシヤホウ
単一イオン抽出 タンイツイオンチユウシユツ
2次電子検出 2ジデンシケンシユツ
不純物揺らぎ フジユンブツユラギ
ドーパント個数制御 ドーパントコスウセイギヨ
SIMOX基板 SIMOXキバン
表面改質 ヒヨウメンカイシツ
異方性エツチング イホウセイエツチング