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低温成長分子線エピタキシにおける化合物半導体の成長過程と成長層の特性

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低温成長分子線エピタキシにおける化合物半導体の成長過程と成長層の特性

国立国会図書館請求記号
Y151-H10450002
国立国会図書館書誌ID
000007058729
資料種別
図書
著者
大野, 英男, 東北大学
出版者
-
出版年
1998-1999
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
テイオン セイチョウ ブンシセン エピタキシ ニ オケル カゴウブツ ハンドウタイ ノ セイチョウ カテイ ト セイチョウソウ ノ トクセイ
著者・編者
大野, 英男, 東北大学
著者標目
著者 : 大野, 英男, 1954- オオノ, ヒデオ, 1954- ( 00714489 )典拠
出版年月日等
1998-1999
出版年(W3CDTF)
1998
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
分子線エピタキシ (MBE) ブンシセンエピタキシ (MBE)
低温成長MBE テイオンセイチヨウMBE
強磁性半導体 キヨウジセイハンドウタイ
反射高エネルギ電子線回折 ハンシヤコウエネルギデンシセンカイセツ
GaMnAs GAMNAS
GaMnSb GAMNSB
モンテカルロシミユレーシヨン モンテカルロシミユレーシヨン
金属・絶縁体遷移 キンゾク・ゼツエンタイセンイ