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超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現

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超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現

国立国会図書館請求記号
Y151-H10555098
国立国会図書館書誌ID
000007059315
資料種別
図書
著者
長谷川, 英機, 北海道大学
出版者
-
出版年
1998-1999
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
チョウハクマク シリコン リョウシ イド オ フクム ゼツエン ゲート ニ ヨル InP ケイ チョウコウシュウハ ダイ デンリョク デバイス ノ ジツゲン
著者・編者
長谷川, 英機, 北海道大学
著者標目
長谷川, 英機 ハセガワ, ヒデキ
出版年月日等
1998-1999
出版年(W3CDTF)
1998
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
電気化学プロセス デンキカガクプロセス
シヨツトキー極限 シヨツトキーキヨクゲン
金属/半導体界面 キンゾク/ハンドウタイカイメン
インジウムリン インジウムリン
フエルミ準位ピンニング フエルミジユンイピンニング
パルス法 パルスホウ