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超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現

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超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現

Call No. (NDL)
Y151-H10555098
Bibliographic ID of National Diet Library
000007059315
Material type
図書
Author
長谷川, 英機, 北海道大学
Publisher
-
Publication date
1998-1999
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
図書
Title Transcription
チョウハクマク シリコン リョウシ イド オ フクム ゼツエン ゲート ニ ヨル InP ケイ チョウコウシュウハ ダイ デンリョク デバイス ノ ジツゲン
Author/Editor
長谷川, 英機, 北海道大学
Author Heading
長谷川, 英機 ハセガワ, ヒデキ
Publication Date
1998-1999
Publication Date (W3CDTF)
1998
Extent
Additional Title
研究種目 基盤研究(B)
Subject Heading
電気化学プロセス デンキカガクプロセス
シヨツトキー極限 シヨツトキーキヨクゲン
金属/半導体界面 キンゾク/ハンドウタイカイメン
インジウムリン インジウムリン
フエルミ準位ピンニング フエルミジユンイピンニング
パルス法 パルスホウ