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イオン照射によるスパツタ薄膜中の残留応力低減

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イオン照射によるスパツタ薄膜中の残留応力低減

国立国会図書館請求記号
Y151-H10650091
国立国会図書館書誌ID
000007060311
資料種別
図書
著者
Nowak, Roman, 広島大学
出版者
-
出版年
1998-1999
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
イオン ショウシャ ニ ヨル スパツタ ハクマク チュウ ノ ザンリュウ オウリョク テイゲン
著者・編者
Nowak, Roman, 広島大学
著者標目
Nowak, Roman NOWAK, ROMAN (ノバック, ロマン)
出版年月日等
1998-1999
出版年(W3CDTF)
1998
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(C)
件名標目
イオン照射 イオンシヨウシヤ
スパツタ薄 スパツタハク
残留応力 ザンリユウオウリヨク
半導体 ハンドウタイ
弾塑性解析 ダンソセイカイセキ