歪み系Siを用いたキヤリアの高移動度化に関する基礎研究

• 資料種別: 図書
• タイトル: 歪み系Siを用いたキヤリアの高移動度化に関する基礎研究
• タイトルよみ: ヒズミ ケイ Si オ モチイタ キヤリア ノ コウイドウドカ ニ カンスル キソ ケンキュウ
• 著者・編者: 山田, 明, 東京工業大学
• 著者標目: 山田, 明 ヤマダ, アキラ
• 出版年月日等: 1999-2000
• 出版年（W3CDTF）: 1999
• 数量: 冊
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(C)
• 件名標目: Si SI; ホツトワイヤーセル ホツトワイヤーセル; 低温エピタキシヤル成長 テイオンエピタキシヤルセイチヨウ; IV族混晶半導体 IVゾクコンシヨウハンドウタイ; 歪み ヒズミ
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 11650010
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H11650010
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007067120; http://id.ndl.go.jp/bib/000007067120
• 整理区分コード: 214