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GaAsを種結晶として用いたバルクGaN単結晶基板の作製

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GaAsを種結晶として用いたバルクGaN単結晶基板の作製

国立国会図書館請求記号
Y151-H09555002
国立国会図書館書誌ID
000007070533
資料種別
図書
著者
長谷川, 文夫, 筑波大学
出版者
-
出版年
1997-1999
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
GaAs オ タネケッショウ ト シテ モチイタ バルク GaN タンケッショウ キバン ノ サクセイ
著者・編者
長谷川, 文夫, 筑波大学
著者標目
著者 : 長谷川, 文夫, 1940- ハセガワ, フミオ, 1940- ( 00950152 )典拠
出版年月日等
1997-1999
出版年(W3CDTF)
1997
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
GaN GAN
ハライド気相成長 ハライドキソウセイチヨウ
HVPE HVPE
GaN基板 GANキバン
青色レーザ・ダイオード アオイロレーザ・ダイオード
GaAs基板 GAASキバン
六方晶GaN 6ポウシヨウGAN