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GaAsを種結晶として用いたバルクGaN単結晶基板の作製

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GaAsを種結晶として用いたバルクGaN単結晶基板の作製

Call No. (NDL)
Y151-H09555002
Bibliographic ID of National Diet Library
000007070533
Material type
図書
Author
長谷川, 文夫, 筑波大学
Publisher
-
Publication date
1997-1999
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Paper

Material Type
図書
Title Transcription
GaAs オ タネケッショウ ト シテ モチイタ バルク GaN タンケッショウ キバン ノ サクセイ
Author/Editor
長谷川, 文夫, 筑波大学
Author Heading
著者 : 長谷川, 文夫, 1940- ハセガワ, フミオ, 1940- ( 00950152 )Authorities
Publication Date
1997-1999
Publication Date (W3CDTF)
1997
Extent
Additional Title
研究種目 基盤研究(B)
Subject Heading
GaN GAN
ハライド気相成長 ハライドキソウセイチヨウ
HVPE HVPE
GaN基板 GANキバン
青色レーザ・ダイオード アオイロレーザ・ダイオード
GaAs基板 GAASキバン
六方晶GaN 6ポウシヨウGAN