イオンビーム誘起エピタキシヤル結晶化による絶縁物上シリコンエピタキシヤル成長

• 資料種別: 図書
• タイトル: イオンビーム誘起エピタキシヤル結晶化による絶縁物上シリコンエピタキシヤル成長
• タイトルよみ: イオンビーム ユウキ エピタキシヤル ケッショウカ ニ ヨル ゼツエン ブツジョウ シリコンエピタキシヤル セイチョウ
• 著者・編者: 山本, 康博, 法政大学
• 著者標目: 著者 ： 山本, 康博, 1948- ヤマモト, ヤスヒロ, 1948- ( 00189728 )典拠
• 出版年月日等: 1998-2000
• 出版年（W3CDTF）: 1998
• 数量: 冊
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(B)
• 件名標目: ヘテロエピタキシ ヘテロエピタキシ; CeO2 CEO2; SiGe SIGE; SOI SOI; イオンビーム誘起結晶化 イオンビームユウキケツシヨウカ; アモルフアスシリコン アモルフアスシリコン; IBIEC IBIEC; 界面反応 カイメンハンノウ
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 10450012
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H10450012
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007071390; http://id.ndl.go.jp/bib/000007071390
• 整理区分コード: 214