量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究

• 資料種別: 図書
• タイトル: 量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究
• タイトルよみ: リョウシ コウカ オ セッキョク リヨウ シタ ハクマク SOI MOSFET ノ セイノウ コウジョウ ト バラツキ テイゲン ノ ケンキュウ
• 著者・編者: 平本, 俊郎, 東京大学
• 著者標目: 平本, 俊郎 ヒラモト, トシロウ
• 出版年月日等: 1998-2000
• 出版年（W3CDTF）: 1998
• 数量: 冊
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(B)
• 件名標目: SOI SOI; MOSFET MOSFET; 量子効果 リヨウシコウカ; 特性ばらつき トクセイバラツキ; 有限要素法 ユウゲンヨウソホウ; しきい値電圧 シキイチデンアツ; 量子閉じ込め リヨウシトジコメ; スケーリング スケーリング
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 10555117
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H10555117
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007072081; http://id.ndl.go.jp/bib/000007072081
• 整理区分コード: 214