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量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究

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量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究

Call No. (NDL)
Y151-H10555117
Bibliographic ID of National Diet Library
000007072081
Material type
図書
Author
平本, 俊郎, 東京大学
Publisher
-
Publication date
1998-2000
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Note (General):

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
図書
Title Transcription
リョウシ コウカ オ セッキョク リヨウ シタ ハクマク SOI MOSFET ノ セイノウ コウジョウ ト バラツキ テイゲン ノ ケンキュウ
Author/Editor
平本, 俊郎, 東京大学
Author Heading
平本, 俊郎 ヒラモト, トシロウ
Publication Date
1998-2000
Publication Date (W3CDTF)
1998
Extent
Additional Title
研究種目 基盤研究(B)
Subject Heading
SOI SOI
MOSFET MOSFET
量子効果 リヨウシコウカ
特性ばらつき トクセイバラツキ
有限要素法 ユウゲンヨウソホウ
しきい値電圧 シキイチデンアツ
量子閉じ込め リヨウシトジコメ
スケーリング スケーリング