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MOCVD法による応力誘起強誘電体薄膜合成法の開発

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MOCVD法による応力誘起強誘電体薄膜合成法の開発

国立国会図書館請求記号
Y151-H11555165
国立国会図書館書誌ID
000007073272
資料種別
図書
著者
舟窪, 浩, 東京工業大学
出版者
-
出版年
1999-2000
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
MOCVD ホウ ニ ヨル オウリョク ユウキ キョウ ユウデンタイ ハクマク ゴウセイホウ ノ カイハツ
著者・編者
舟窪, 浩, 東京工業大学
著者標目
舟窪, 浩 フナクボ, ヒロシ
出版年月日等
1999-2000
出版年(W3CDTF)
1999
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
応力誘起強誘電性 オウリヨクユウキキヨウユウデンセイ
MOCVD MOCVD
Pb (Zr, Ti) O3 PB (ZR, TI) O3