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積層型InGaN量子ドツトレーザの発振特性の原子レベルからの理論解析

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積層型InGaN量子ドツトレーザの発振特性の原子レベルからの理論解析

国立国会図書館請求記号
Y151-H12650004
国立国会図書館書誌ID
000007076646
資料種別
図書
著者
斎藤, 敏夫, 東京大学
出版者
-
出版年
2000-2001
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
セキソウガタ InGaN リョウシ ドツトレーザ ノ ハッシン トクセイ ノ ゲンシ レベル カラ ノ リロン カイセキ
著者・編者
斎藤, 敏夫, 東京大学
著者標目
斎藤, 敏夫 サイトウ, トシオ
出版年月日等
2000-2001
出版年(W3CDTF)
2000
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(C)
件名標目
GaN GAN
InGaN INGAN
量子ドツト リヨウシドツト
電子構造 デンシコウゾウ
強結合法 キヨウケツゴウホウ
ピエゾ効果 ピエゾコウカ
シユタルク効果 シユタルクコウカ
重なり積分 カサナリセキブン