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積層型InGaN量子ドツトレーザの発振特性の原子レベルからの理論解析

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積層型InGaN量子ドツトレーザの発振特性の原子レベルからの理論解析

Call No. (NDL)
Y151-H12650004
Bibliographic ID of National Diet Library
000007076646
Material type
図書
Author
斎藤, 敏夫, 東京大学
Publisher
-
Publication date
2000-2001
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Paper

Material Type
図書
Title Transcription
セキソウガタ InGaN リョウシ ドツトレーザ ノ ハッシン トクセイ ノ ゲンシ レベル カラ ノ リロン カイセキ
Author/Editor
斎藤, 敏夫, 東京大学
Author Heading
斎藤, 敏夫 サイトウ, トシオ
Publication Date
2000-2001
Publication Date (W3CDTF)
2000
Extent
Additional Title
研究種目 基盤研究(C)
Subject Heading
GaN GAN
InGaN INGAN
量子ドツト リヨウシドツト
電子構造 デンシコウゾウ
強結合法 キヨウケツゴウホウ
ピエゾ効果 ピエゾコウカ
シユタルク効果 シユタルクコウカ
重なり積分 カサナリセキブン