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金属埋込み選択成長法によるGaN成長層の高品位化及び低転位化

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金属埋込み選択成長法によるGaN成長層の高品位化及び低転位化

国立国会図書館請求記号
Y151-H12650308
国立国会図書館書誌ID
000007076858
資料種別
図書
著者
福家, 俊郎, 静岡大学
出版者
-
出版年
2000-2001
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
キンゾク ウメコミ センタク セイチョウホウ ニ ヨル GaN セイチョウソウ ノ コウヒンイカ オヨビ テイテンイカ
著者・編者
福家, 俊郎, 静岡大学
著者標目
福家, 俊郎 フケ, シュンロウ
出版年月日等
2000-2001
出版年(W3CDTF)
2000
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(C)
件名標目
化合物半導体 カゴウブツハンドウタイ
窒化物 チツカブツ
選択成長 センタクセイチヨウ
有機金属気相成長法 ユウキキンゾクキソウセイチヨウホウ
転位密度 テンイミツド
高品位化 コウヒンイカ