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図書
金属埋込み選択成長法によるGaN成長層の高品位化及び低転位化
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金属埋込み選択成長法によるGaN成長層の高品位化及び低転位化
国立国会図書館請求記号
Y151-H12650308
国立国会図書館書誌ID
000007076858
資料種別
図書
著者
福家, 俊郎, 静岡大学
出版者
-
出版年
2000-2001
資料形態
紙
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記
一般注記:
文部省科学研究費補助金研究成果報告書
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紙
資料種別
図書
タイトル
金属埋込み選択成長法によるGaN成長層の高品位化及び低転位化
タイトルよみ
キンゾク ウメコミ センタク セイチョウホウ ニ ヨル GaN セイチョウソウ ノ コウヒンイカ オヨビ テイテンイカ
著者・編者
福家, 俊郎, 静岡大学
著者標目
福家, 俊郎
フケ, シュンロウ
出版年月日等
2000-2001
出版年(W3CDTF)
2000
数量
冊
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(C)
件名標目
化合物半導体
カゴウブツハンドウタイ
窒化物
チツカブツ
選択成長
センタクセイチヨウ
有機金属気相成長法
ユウキキンゾクキソウセイチヨウホウ
転位密度
テンイミツド
高品位化
コウヒンイカ
NDLC
Y151
一般注記
文部省科学研究費補助金研究成果報告書
科研費課題番号
12650308
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Y151-H12650308
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
000007076858
http://id.ndl.go.jp/bib/000007076858
整理区分コード
214
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