金属埋込み選択成長法によるGaN成長層の高品位化及び低転位化

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Material Type: 図書
Title: 金属埋込み選択成長法によるGaN成長層の高品位化及び低転位化
Title Transcription: キンゾクウメコミセンタクセイチョウホウニヨル GaN セイチョウソウノコウヒンイカオヨビテイテンイカ
Author/Editor: 福家, 俊郎, 静岡大学
Author Heading: 福家, 俊郎フケ, シュンロウ
Publication Date: 2000-2001
Publication Date (W3CDTF): 2000
Extent: 冊
Additional Title: 研究種目基盤研究(C)
Subject Heading: 化合物半導体カゴウブツハンドウタイ
窒化物チツカブツ
選択成長センタクセイチヨウ
有機金属気相成長法ユウキキンゾクキソウセイチヨウホウ
転位密度テンイミツド
高品位化コウヒンイカ
NDLC: Y151
Note (General): 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 12650308
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Y151-H12650308
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000007076858
http://id.ndl.go.jp/bib/000007076858
Bibliographic Record Category (NDL): 214