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窒化物半導体の選択成長法による金属埋込みと結晶欠陷の低減

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窒化物半導体の選択成長法による金属埋込みと結晶欠陷の低減

国立国会図書館請求記号
Y151-H11450012
国立国会図書館書誌ID
000007077639
資料種別
図書
著者
平松, 和政, 三重大学
出版者
-
出版年
1999-2001
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
チッカブツ ハンドウタイ ノ センタク セイチョウホウ ニ ヨル キンゾク ウメコミ ト ケッショウ ケッカン ノ テイゲン
著者・編者
平松, 和政, 三重大学
著者標目
平松, 和政 ヒラマツ, カズマサ
出版年月日等
1999-2001
出版年(W3CDTF)
1999
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
窒化ガリウム チツカガリウム
窒化アルミニウム チツカアルミニウム
選択成長 センタクセイチヨウ
タングステン タングステン
窒化タングステン チツカタングステン
シヨツトキー電極 シヨツトキーデンキヨク
金属埋込み構造 キンゾクウメコミコウゾウ
橋脚構造 キヨウキヤクコウゾウ