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シリコン基板上3C-SiC薄膜の低温成長

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シリコン基板上3C-SiC薄膜の低温成長

国立国会図書館請求記号
Y151-H11450127
国立国会図書館書誌ID
000007077682
資料種別
図書
著者
宮里, 達郎, 九州工業大学
出版者
-
出版年
1999-2001
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
シリコン キバン ジョウ 3C-SiC ハクマク ノ テイオン セイチョウ
著者・編者
宮里, 達郎, 九州工業大学
著者標目
宮里, 達郎 ミヤサト, タツロウ
出版年月日等
1999-2001
出版年(W3CDTF)
1999
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
炭化珪素 タンカケイソ
水素プラズマ スイソプラズマ
プラズマスパツタリング プラズマスパツタリング
低温成長 テイオンセイチヨウ
成長初期段階 セイチヨウシヨキダンカイ
活性化エネルギー カツセイカエネルギー
シリコン基板 シリコンキバン
格子不整合 コウシフセイゴウ