Dissolution and Growth Processes of InGaSb Ternary Semiconductor under Microgravity : 宇宙などの微小重力環境に於けるInGaSb化合物半導体の溶解と結晶化に関する研究

• 資料種別: 図書
• タイトル: Dissolution and Growth Processes of InGaSb Ternary Semiconductor under Microgravity : 宇宙などの微小重力環境に於けるInGaSb化合物半導体の溶解と結晶化に関する研究
• タイトルよみ: Dissolution and Growth Processes of InGaSb Ternary Semiconductor under Microgravity
• 著者・編者: 熊川, 征司, 静岡大学
• 著者標目: 熊川, 征司 クマガワ, マサシ
• 出版年月日等: 1999-2001
• 出版年（W3CDTF）: 1999
• 数量: 冊
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(B)
• 件名標目: 微小重力環境 ビシヨウジユウリヨクカンキヨウ; 化合物半導体 カゴウブツハンドウタイ; ガリウム アンチモン ガリウムアンチモン; インデイウム アンチモン インデイウムアンチモン; インデイウム ガリウム アンチモン インデイウムガリウムアンチモン; 一方向凝固法 1ホウコウギヨウコホウ; 落下塔実験 ラツカトウジツケン; 数値解析 スウチカイセキ
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 11694144
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H11694144
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007081436; http://id.ndl.go.jp/bib/000007081436
• 整理区分コード: 214