Dissolution and Growth Processes of InGaSb Ternary Semiconductor under Microgravity : 宇宙などの微小重力環境に於けるInGaSb化合物半導体の溶解と結晶化に関する研究

Call No. (NDL): Y151-H11694144
Bibliographic ID of National Diet Library: 000007081436

Material type: 図書

Author: 熊川, 征司, 静岡大学

Publisher: -

Publication date: 1999-2001

Material Format: Paper

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Note (General)：: 文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Material Type: 図書
Title: Dissolution and Growth Processes of InGaSb Ternary Semiconductor under Microgravity : 宇宙などの微小重力環境に於けるInGaSb化合物半導体の溶解と結晶化に関する研究
Title Transcription: Dissolution and Growth Processes of InGaSb Ternary Semiconductor under Microgravity
Author/Editor: 熊川, 征司, 静岡大学
Author Heading: 熊川, 征司クマガワ, マサシ
Publication Date: 1999-2001
Publication Date (W3CDTF): 1999
Extent: 冊
Additional Title: 研究種目基盤研究(B)
Subject Heading: 微小重力環境ビシヨウジユウリヨクカンキヨウ
化合物半導体カゴウブツハンドウタイ
ガリウムアンチモンガリウムアンチモン
インデイウムアンチモンインデイウムアンチモン
インデイウムガリウムアンチモンインデイウムガリウムアンチモン
一方向凝固法 1ホウコウギヨウコホウ
落下塔実験ラツカトウジツケン
数値解析スウチカイセキ
NDLC: Y151
Note (General): 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 11694144
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Y151-H11694144
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000007081436
http://id.ndl.go.jp/bib/000007081436
Bibliographic Record Category (NDL): 214