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先端半導体デバイスの高性能化

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先端半導体デバイスの高性能化

国立国会図書館請求記号
Y151-H11695065
国立国会図書館書誌ID
000007081547
資料種別
図書
著者
大山, 英典, 熊本電波工業高等専門学校
出版者
-
出版年
1999-2001
資料形態
紙
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記：

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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紙

資料種別
図書
タイトル
先端半導体デバイスの高性能化
タイトルよみ
センタン ハンドウタイ デバイス ノ コウセイノウカ
著者・編者
大山, 英典, 熊本電波工業高等専門学校
著者標目
大山, 英典 オオヤマ, ヒデノリ
出版年月日等
1999-2001
出版年（W3CDTF）
1999
数量
冊
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
半導体デバイス ハンドウタイデバイス
高エネルギー粒子 コウエネルギーリユウシ
宇宙空間 ウチユウクウカン
照射損傷 シヨウシヤソンシヨウ
格子欠陥 コウシケツカン
熱処理 ネツシヨリ
劣化 レツカ
回復 カイフク