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変調操作を用いた非定常状態の積極利用によるULSI積層配線作製プロセスの高度化

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変調操作を用いた非定常状態の積極利用によるULSI積層配線作製プロセスの高度化

国立国会図書館請求記号
Y151-H11450269
国立国会図書館書誌ID
000007083332
資料種別
図書
著者
霜垣, 幸浩, 東京大学
出版者
-
出版年
1999-2000
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ヘンチョウ ソウサ オ モチイタ ヒテイジョウ ジョウタイ ノ セッキョク リヨウ ニ ヨル ULSI セキソウ ハイセン サクセイ プロセス ノ コウドカ
著者・編者
霜垣, 幸浩, 東京大学
著者標目
霜垣, 幸浩 シモガキ, ユキヒロ
出版年月日等
1999-2000
出版年(W3CDTF)
1999
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
CVD CVD
バリアメタル バリアメタル
変調操作 ヘンチヨウソウサ
核発生 カクハツセイ
薄膜成長 ハクマクセイチヨウ
結晶化 ケツシヨウカ
不純物制御 フジユンブツセイギヨ
比抵抗 ヒテイコウ