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白金の触媒作用を用いるMOSデバイスゲ-ト酸化膜の絶縁耐圧性の向上

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白金の触媒作用を用いるMOSデバイスゲ-ト酸化膜の絶縁耐圧性の向上

国立国会図書館請求記号
Y151-H12450127
国立国会図書館書誌ID
000007084509
資料種別
図書
著者
小林, 光, 大阪大学
出版者
-
出版年
2000-2002
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ハッキン ノ ショクバイ サヨウ オ モチイル MOS デバイスゲ-ト サンカマク ノ ゼツエン タイアツセイ ノ コウジョウ
著者・編者
小林, 光, 大阪大学
著者標目
小林, 光 コバヤシ, ヒカル
出版年月日等
2000-2002
出版年(W3CDTF)
2000
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
白金処理 ハツキンシヨリ
リ-ク電流 リ-クデンリユウ
MOS MOS
シリコン シリコン
SiO_2 SIO_2
化学酸化 カガクサンカ
低温プロセス テイオンプロセス
Si/SiO_2界面 SI/SIO_2カイメン