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白金の触媒作用を用いるMOSデバイスゲ-ト酸化膜の絶縁耐圧性の向上

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白金の触媒作用を用いるMOSデバイスゲ-ト酸化膜の絶縁耐圧性の向上

Call No. (NDL)
Y151-H12450127
Bibliographic ID of National Diet Library
000007084509
Material type
図書
Author
小林, 光, 大阪大学
Publisher
-
Publication date
2000-2002
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Note (General):

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Paper

Material Type
図書
Title Transcription
ハッキン ノ ショクバイ サヨウ オ モチイル MOS デバイスゲ-ト サンカマク ノ ゼツエン タイアツセイ ノ コウジョウ
Author/Editor
小林, 光, 大阪大学
Author Heading
小林, 光 コバヤシ, ヒカル
Publication Date
2000-2002
Publication Date (W3CDTF)
2000
Extent
Additional Title
研究種目 基盤研究(B)
Subject Heading
白金処理 ハツキンシヨリ
リ-ク電流 リ-クデンリユウ
MOS MOS
シリコン シリコン
SiO_2 SIO_2
化学酸化 カガクサンカ
低温プロセス テイオンプロセス
Si/SiO_2界面 SI/SIO_2カイメン