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シングルイオン注入法による半導体電気的特性ゆらぎ抑制に関する研究

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シングルイオン注入法による半導体電気的特性ゆらぎ抑制に関する研究

国立国会図書館請求記号
Y151-H12555092
国立国会図書館書誌ID
000007085176
資料種別
図書
著者
大泊, 巌, 早稲田大学
出版者
-
出版年
2000-2002
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
シングルイオン チュウニュウホウ ニ ヨル ハンドウタイ デンキテキ トクセイユラギ ヨクセイ ニ カンスル ケンキュウ
著者・編者
大泊, 巌, 早稲田大学
著者標目
著者 : 大泊, 巌 オオドマリ, イワオ ( 00875965 )典拠
出版年月日等
2000-2002
出版年(W3CDTF)
2000
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
シングルイオン注入法 シングルイオンチユウニユウホウ
集束イオンビ-ム シユウソクイオンビ-ム
液体金属イオン源 エキタイキンゾクイオンゲン
不純物ゆらぎ フジユンブツユラギ
同時ド-ピング ドウジド-ピング
ELTRAN ELTRAN
ド-パント原子配列 ド-パントゲンシハイレツ
極微半導体 キヨクビハンドウタイ