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シングルイオン注入法による半導体電気的特性ゆらぎ抑制に関する研究

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シングルイオン注入法による半導体電気的特性ゆらぎ抑制に関する研究

Call No. (NDL)
Y151-H12555092
Bibliographic ID of National Diet Library
000007085176
Material type
図書
Author
大泊, 巌, 早稲田大学
Publisher
-
Publication date
2000-2002
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Paper

Material Type
図書
Title Transcription
シングルイオン チュウニュウホウ ニ ヨル ハンドウタイ デンキテキ トクセイユラギ ヨクセイ ニ カンスル ケンキュウ
Author/Editor
大泊, 巌, 早稲田大学
Author Heading
著者 : 大泊, 巌 オオドマリ, イワオ ( 00875965 )Authorities
Publication Date
2000-2002
Publication Date (W3CDTF)
2000
Extent
Additional Title
研究種目 基盤研究(B)
Subject Heading
シングルイオン注入法 シングルイオンチユウニユウホウ
集束イオンビ-ム シユウソクイオンビ-ム
液体金属イオン源 エキタイキンゾクイオンゲン
不純物ゆらぎ フジユンブツユラギ
同時ド-ピング ドウジド-ピング
ELTRAN ELTRAN
ド-パント原子配列 ド-パントゲンシハイレツ
極微半導体 キヨクビハンドウタイ