次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価

• 資料種別: 図書
• タイトル: 次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価
• タイトルよみ: ジセダイ LSIヨウ コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマク ノ テイオン ケイセイ ト キノウ ヒョウカ
• 著者・編者: 中島寛, 九州大学 [著]
• 著者標目: 中島, 寛 ナカシマ, ヒロシ; 九州大学 キュウシュウ ダイガク
• 出版事項: [中島寛]
• 出版年月日等: 2001-2003; 2004.3
• 出版年（W3CDTF）: 2001; 2003
• 数量: 65p
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(B)
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn; eng
• 件名標目: シリコン / 電子サイクロトロンプラズマ / スパッタリング / 高誘電率絶縁膜 / 酸化膜 / 窒化膜 / 積層構造 シリコン / デンシ サイクロトロンプラズマ / スパッタリング / コウユウデンリツ ゼツエンマク / サンカマク / チッカマク / セキソウ コウゾウ
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 13450130
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H13450130
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007572901; http://id.ndl.go.jp/bib/000007572901
• 整理区分コード: 214