P[+]イオン打込みシリコン中の格子欠陥の消滅過程とその電気的性質と関連

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: P[+]イオン打込みシリコン中の格子欠陥の消滅過程とその電気的性質と関連
• タイトルよみ: P+ イオン ウチコミ シリコンチュウ ノ コウシ ケッカン ノ ショウメツ カテイ ト ソノ デンキテキ セイシツ ト カンレン
• 著者・編者: 長谷川誠一 [著]
• 著者標目: 長谷川, 誠一 ハセガワ, セイイチ
• 数量: 冊
• 授与機関名: 東京工業大学
• 授与年月日: 昭和51年7月31日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1976
• 報告番号: 乙第688号
• 学位: 工学博士
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-52-O265
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007775358; http://id.ndl.go.jp/bib/000007775358
• 整理区分コード: 213