強誘電体/絶縁膜/半導体ゲート構造における強誘電体層、絶縁層界面特性の改善

• 資料種別: 図書
• タイトル: 強誘電体/絶縁膜/半導体ゲート構造における強誘電体層、絶縁層界面特性の改善
• タイトルよみ: キョウユウデンタイ ゼツエンマク ハンドウタイ ゲート コウゾウ ニ オケル キョウユウデンタイソウ ゼツエンソウ カイメン トクセイ ノ カイゼン
• 著者・編者: 野田実, 大阪大学 [著]
• 著者標目: 野田, 実 ノダ, ミノル; 大阪大学 オオサカ ダイガク
• 出版事項: [野田実]
• 出版年月日等: 2000-2002; 2003.9
• 出版年（W3CDTF）: 2000; 2002
• 数量: 139p
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(B)
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn; eng
• 件名標目: 強誘電体 / MFIS構造 / 不揮発性メモリ / SrBi_2Ta_2O_9 (SBT) / Sr_2 (Ta_<1-x>, Nb_x) _2O_7 (STN) / 保持特性 / 界面特性 / イオン化ポテンシャル キョウ ユウデンタイ / MFIS コウゾウ / フキハツセイ メモリ / SrBi_2Ta_2O_9 (SBT) / Sr_2 (Ta_<1-x>, Nb_x) _2O_7 (STN) / ホジ トクセイ / カイメン トクセイ / イオンカ ポテンシャル
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 12450147
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H12450147
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007900044; http://id.ndl.go.jp/bib/000007900044
• 整理区分コード: 214