2005 international conference on simulation of semiconductor processes and devices : SISPAD 2005 : September 1-3, 2005 Komaba Eminence, Tokyo, Japan

• 資料種別: 図書
• ISBN: 4-9902762-0-5
• タイトル: 2005 international conference on simulation of semiconductor processes and devices : SISPAD 2005 : September 1-3, 2005 Komaba Eminence, Tokyo, Japan
• 著者・編者: co-sponsored by Japan Society of Applied Physics, IEEE Electron Devices Society
• 著者標目: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )典拠; IEEE Electron Devices Society ( 00927239 )典拠
• 出版事項: [Tokyo] : [Japan Society of Applied Physics]
• 出版年月日等: c2005
• 出版年（W3CDTF）: 2005
• 数量: 340 p.
• 大きさ: 30 cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: M18
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: "JSAP cat. no. AP051227, IEEE cat. no. 05TH8826."
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: M18-B488
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007913134; http://id.ndl.go.jp/bib/000007913134
• 全国書誌番号: 20916606
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 113

目次

TECHNICAL PROGRAM AND CONTENTS

Thursday, September 1

Session 1 Plenary Session (Diamond Room)

9:00 Opening and Welcome Remarks

1-1 9:10 Plenary : MOSFET Modeling beyond 100nm Technology : Challenges and Perspectives/ 1