InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究

• 資料種別: 図書
• タイトル: InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究
• タイトルよみ: InN GaN オヨビ ソノ コンショウ ニ ヨル ヘテロ コウゾウ ノ サクセイ ト HFET エノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 名西[ヤス]之, 立命館大学 [著]
• 著者標目: 名西, [ヤス]之 ナニシ, ヤスシ; 立命館大学 リツメイカン ダイガク
• 出版事項: [名西[ヤス]之]
• 出版年月日等: 2001-2004; 2005.3
• 出版年（W3CDTF）: 2001; 2004
• 数量: 364p
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(B)
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn; eng
• 件名標目: InN / RF-MBE / 貫通転位 / バンドギャツプ / 極性 / Si基板 / AlNバッファ InN / RF-MBE / カンツウ テンイ / バンドギャツプ / ゴクセイ / Si キバン / AlN バッファ
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 13450131
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H13450131
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007914813; http://id.ndl.go.jp/bib/000007914813
• 整理区分コード: 214