InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究

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Material Type: 図書
Title: InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究
Title Transcription: InN GaN オヨビソノコンショウニヨルヘテロコウゾウノサクセイト HFET エノオウヨウニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 名西[ヤス]之, 立命館大学 [著]
Author Heading: 名西, [ヤス]之ナニシ, ヤスシ
立命館大学リツメイカンダイガク
Publication, Distribution, etc.: [名西[ヤス]之]
Publication Date: 2001-2004
2005.3
Publication Date (W3CDTF): 2001
2004
Extent: 364p
Additional Title: 研究種目基盤研究(B)
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
eng
Subject Heading: InN / RF-MBE / 貫通転位 / バンドギャツプ / 極性 / Si基板 / AlNバッファ InN / RF-MBE / カンツウテンイ / バンドギャツプ / ゴクセイ / Si キバン / AlN バッファ
NDLC: Y151
Note (General): 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 13450131
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Y151-H13450131
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000007914813
http://id.ndl.go.jp/bib/000007914813
Bibliographic Record Category (NDL): 214