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In-Situ反応制御プロセスによる高温対応エレクトロニクス実装部の形成

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In-Situ反応制御プロセスによる高温対応エレクトロニクス実装部の形成

国立国会図書館請求記号
Y151-H15560626
国立国会図書館書誌ID
000007945478
資料種別
図書
著者
廣瀬明夫, 大阪大学 [著]
出版者
[廣瀬明夫]
出版年
2003-2004
資料形態
ページ数・大きさ等
1冊
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
In-Situ ハンノウ セイギョ プロセス ニ ヨル コウオン タイオウ エレクトロニクス ジッソウブ ノ ケイセイ
著者・編者
廣瀬明夫, 大阪大学 [著]
著者標目
廣瀬, 明夫 ヒロセ, アキオ
大阪大学 オオサカ ダイガク
出版事項
出版年月日等
2003-2004
2005.5
出版年(W3CDTF)
2003
2004
数量
1冊
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(C)