ULSIデバイスの研究・開発に必要な先端分析技術 : 基礎から応用まで

• 資料種別: 図書
• タイトル: ULSIデバイスの研究・開発に必要な先端分析技術 : 基礎から応用まで
• タイトルよみ: ULSI デバイス ノ ケンキュウ カイハツ ニ ヒツヨウナ センタン ブンセキ ギジュツ : キソ カラ オウヨウ マデ
• 著者・編者: 応用物理学会薄膜・表面物理分科会 編
• シリーズタイトル: AP ; 052348. 薄膜・表面物理基礎講座 ; 第34回
• 著者標目: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )典拠
• 出版事項: [東京] : 応用物理学会薄膜・表面物理分科会
• 出版年月日等: 2005.11
• 出版年（W3CDTF）: 2005
• 数量: 96p
• 大きさ: 26cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 集積回路--論文集 シュウセキカイロ ロンブンシュウ ( 00950811 )典拠
• NDC9版: 549.7 : 電子工学
• NDLC: ND386
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 会期・会場: 2005年11月10日-11日 筑波大学東京キャンパスG501講義室
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND386-H139
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000008059758; http://id.ndl.go.jp/bib/000008059758
• 全国書誌番号: 20970405
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 111

• 内容細目: 11月10日 (木)総説ULSI開発に不可欠なナノレベル分析評価技術 / 上田修 著先端半導体ウェハーの表面評価技術 / 杉山直治 著...

目次

プログラム(目次)

「ULSIデバイスの研究・開発に必要な先端分析技術：基礎から応用まで」

11月10日(木)

10:00〜11:30　総説ULSI開発に不可欠なナノレベル分析評価技術/ 1

12:30〜13:45　先端半導体ウェハーの表面評価技術/ 15