ゲートスタック研究会 : 材料・プロセス・評価の物理 : 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告 : 第10回研究会

• 資料種別: 図書
• タイトル: ゲートスタック研究会 : 材料・プロセス・評価の物理 : 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告 : 第10回研究会
• タイトルよみ: ゲート スタック ケンキュウカイ : ザイリョウ プロセス ヒョウカ ノ ブツリ : オウヨウ ブツリ ガッカイ ハクマク ヒョウメン ブツリ ブンカカイ シリコン テクノロジー ブンカカイ キョウサイ トクベツ ケンキュウカイ ケンキュウ ホウコク : ダイ 10カイ ケンキュウカイ
• 著者・編者: 応用物理学会薄膜・表面物理分科会, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 編
• シリーズタイトル: AP ; 052205
• 著者標目: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )典拠
• 出版事項: [東京] : 応用物理学会薄膜・表面物理分科会
• 出版年月日等: 2005.1
• 出版年（W3CDTF）: 2005
• 数量: 338p
• 大きさ: 30cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 絶縁・絶縁材料--論文集 ゼツエンゼツエンザイリョウ ロンブンシュウ ( 01030049 )典拠
• NDC9版: 541.65 : 電気回路・計測・材料
• NDLC: ND97
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 共同刊行: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
• 入手条件・定価: 3000円
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND97-H10
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000008059824; http://id.ndl.go.jp/bib/000008059824
• 全国書誌番号: 20969440
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 111

• 内容細目: Interface engineering for high-k/Si and high-k/Ge structures / P.C.McIntyre ほか著サブ50nmCMOSの低電力化技術 / 最上徹 著極薄ゲート酸化膜・High-kゲート絶縁膜を用いた次世代CMOSFETの信頼性の課題 / 高...