博士論文

薄膜SOI(Silicon On Insulator)のポテンシャルを制御する化学的・物理的手法の研究 : 完全空乏型電界効果MOSデバイス構造の基礎研究

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薄膜SOI(Silicon On Insulator)のポテンシャルを制御する化学的・物理的手法の研究 : 完全空乏型電界効果MOSデバイス構造の基礎研究

国立国会図書館請求記号
UT51-2006-D853
国立国会図書館書誌ID
000008177886
資料種別
博士論文
著者
佐藤康博 [著]
出版者
[佐藤康博]
出版年
2004
資料形態
ページ数・大きさ等
1冊
授与大学名・学位
東京大学,博士 (理学)
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資料種別
博士論文
タイトルよみ
ハクマク SOI Silicon On Insulator ノ ポテンシャル オ セイギョスル カガクテキ ブツリテキ シュホウ ノ ケンキュウ : カンゼン クウボウガタ デンカイ コウカ MOS デバイス コウゾウ ノ キソ ケンキュウ
著者・編者
佐藤康博 [著]
著者標目
佐藤, 康博 サトウ, ヤスヒロ
出版事項
出版年月日等
2004
出版年(W3CDTF)
2004
数量
1冊
並列タイトル等
Study on physical and chemical methods controlling the potential in ultra-thin-film silicon on insulator : basics of fully-depleted metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor structures