薄膜SOI(Silicon On Insulator)のポテンシャルを制御する化学的・物理的手法の研究 : 完全空乏型電界効果MOSデバイス構造の基礎研究

Call No. (NDL): UT51-2006-D853
Bibliographic ID of National Diet Library: 000008177886

Material type: 博士論文

Author: 佐藤康博 [著]

Publisher: [佐藤康博]

Publication date: 2004

Material Format: Paper

Capacity, size, etc.: 1冊

Name of awarding university/degree: 東京大学,博士 (理学)

View All

Notes on use

Note (General)：: 博士論文

Search by Bookstore

Bibliographic Record

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Paper

Material Type: 博士論文
Title: 薄膜SOI(Silicon On Insulator)のポテンシャルを制御する化学的・物理的手法の研究 : 完全空乏型電界効果MOSデバイス構造の基礎研究
Title Transcription: ハクマク SOI Silicon On Insulator ノポテンシャルオセイギョスルカガクテキブツリテキシュホウノケンキュウ : カンゼンクウボウガタデンカイコウカ MOS デバイスコウゾウノキソケンキュウ
Author/Editor: 佐藤康博 [著]
Author Heading: 佐藤, 康博サトウ, ヤスヒロ
Publication, Distribution, etc.: [佐藤康博]
Publication Date: 2004
Publication Date (W3CDTF): 2004
Extent: 1冊
Alternative Title: Study on physical and chemical methods controlling the potential in ultra-thin-film silicon on insulator : basics of fully-depleted metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor structures
Degree grantor/type: 東京大学
Date Granted: 平成16年6月21日
Date Granted (W3CDTF): 2004
Dissertation Number: 乙第16040号
Degree Type: 博士 (理学)
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-2006-D853
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000008177886
http://id.ndl.go.jp/bib/000008177886
Bibliographic Record Category (NDL): 213