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原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー

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原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー

国立国会図書館請求記号
Y151-H14205001
国立国会図書館書誌ID
000008315871
資料種別
図書
著者
田中悟, 北海道大学 [著]
出版者
[田中悟]
出版年
2002-2004
資料形態
ページ数・大きさ等
65p
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ゲンシ レベル ヒョウメン ジョウタイ セイギョ ニ ヨル テイケッカン チッカブツ ハンドウタイ ノ ヘテロエピタキシー
著者・編者
田中悟, 北海道大学 [著]
著者標目
田中, 悟 タナカ, サトル
北海道大学 ホッカイドウ ダイガク
出版事項
出版年月日等
2002-2004
2006.3
出版年(W3CDTF)
2002
2004
数量
65p
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(A)