原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー

Call No. (NDL): Y151-H14205001
Bibliographic ID of National Diet Library: 000008315871

Material type: 図書

Author: 田中悟, 北海道大学 [著]

Publisher: [田中悟]

Publication date: 2002-2004

Material Format: Paper

Capacity, size, etc.: 65p

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Note (General)：: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

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Material Type: 図書
Title: 原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー
Title Transcription: ゲンシレベルヒョウメンジョウタイセイギョニヨルテイケッカンチッカブツハンドウタイノヘテロエピタキシー
Author/Editor: 田中悟, 北海道大学 [著]
Author Heading: 田中, 悟タナカ, サトル
北海道大学ホッカイドウダイガク
Publication, Distribution, etc.: [田中悟]
Publication Date: 2002-2004
2006.3
Publication Date (W3CDTF): 2002
2004
Extent: 65p
Additional Title: 研究種目基盤研究(A)
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
eng
Subject Heading: III族窒化物半導体 / 構造欠陥 / 転位 / 表面構造 / ヘテロエピタキシー / 成長モード / 光デバイス / 自己組織化 III ゾクチッカブツハンドウタイ / コウゾウケッカン / テンイ / ヒョウメンコウゾウ / ヘテロエピタキシー / セイチョウモード / ヒカリデバイス / ジコソシキカ
NDLC: Y151
Note (General): 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 14205001
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Y151-H14205001
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000008315871
http://id.ndl.go.jp/bib/000008315871
Bibliographic Record Category (NDL): 214