高誘電率絶縁薄膜中の欠陥の研究

• 資料種別: 図書
• タイトル: 高誘電率絶縁薄膜中の欠陥の研究
• タイトルよみ: コウユウデンリツ ゼツエン ハクマクチュウ ノ ケッカン ノ ケンキュウ
• 著者・編者: 廣瀬和之, 宇宙航空研究開発機構 [著]
• 著者標目: 廣瀬, 和之 ヒロセ, カズユキ; 宇宙航空研究開発機構 ウチュウ コウクウ ケンキュウ カイハツ キコウ
• 出版事項: [廣瀬和之]
• 出版年月日等: 2003-2005; 2006.3
• 出版年（W3CDTF）: 2003; 2005
• 数量: 42p
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(C)
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn; eng
• 件名標目: LSI / MOSFET / ゲート絶縁膜 / SiO_2 / 高誘電率 / HfO_2 / 欠陥 / 光電子分光 LSI / MOSFET / ゲート ゼツエンマク / SiO_2 / コウユウデンリツ / HfO_2 / ケッカン / コウデンシ ブンコウ
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 15560025
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H15560025
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000008323356; http://id.ndl.go.jp/bib/000008323356
• 整理区分コード: 214