高誘電率絶縁薄膜中の欠陥の研究

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Material Type: 図書
Title: 高誘電率絶縁薄膜中の欠陥の研究
Title Transcription: コウユウデンリツゼツエンハクマクチュウノケッカンノケンキュウ
Author/Editor: 廣瀬和之, 宇宙航空研究開発機構 [著]
Author Heading: 廣瀬, 和之ヒロセ, カズユキ
宇宙航空研究開発機構ウチュウコウクウケンキュウカイハツキコウ
Publication, Distribution, etc.: [廣瀬和之]
Publication Date: 2003-2005
2006.3
Publication Date (W3CDTF): 2003
2005
Extent: 42p
Additional Title: 研究種目基盤研究(C)
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
eng
Subject Heading: LSI / MOSFET / ゲート絶縁膜 / SiO_2 / 高誘電率 / HfO_2 / 欠陥 / 光電子分光 LSI / MOSFET / ゲートゼツエンマク / SiO_2 / コウユウデンリツ / HfO_2 / ケッカン / コウデンシブンコウ
NDLC: Y151
Note (General): 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 15560025
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Y151-H15560025
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000008323356
http://id.ndl.go.jp/bib/000008323356
Bibliographic Record Category (NDL): 214