窒素プラズマソース分子線エピタキシー法を用いたInGaNヘテロエピタキシャル膜結晶成長に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 窒素プラズマソース分子線エピタキシー法を用いたInGaNヘテロエピタキシャル膜結晶成長に関する研究
• タイトルよみ: チッソ プラズマ ソース ブンシセン エピタキシーホウ オ モチイタ InGaN ヘテロエピタキシャルマク ケッショウ セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 北村寿朗 [著]
• 著者標目: 北村, 寿朗 キタムラ, トシオ
• 出版事項: [北村寿朗]
• 出版年月日等: [2006]
• 出版年（W3CDTF）: 2006
• 数量: 1冊
• 授与機関名: 東京理科大学
• 授与年月日: 平成18年3月20日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2006
• 報告番号: 甲第715号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2007-B921
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000008496272; http://id.ndl.go.jp/bib/000008496272
• 整理区分コード: 213