窒素プラズマソース分子線エピタキシー法を用いたInGaNヘテロエピタキシャル膜結晶成長に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: 窒素プラズマソース分子線エピタキシー法を用いたInGaNヘテロエピタキシャル膜結晶成長に関する研究
Title Transcription: チッソプラズマソースブンシセンエピタキシーホウオモチイタ InGaN ヘテロエピタキシャルマクケッショウセイチョウニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 北村寿朗 [著]
Author Heading: 北村, 寿朗キタムラ, トシオ
Publication, Distribution, etc.: [北村寿朗]
Publication Date: [2006]
Publication Date (W3CDTF): 2006
Extent: 1冊
Degree grantor/type: 東京理科大学
Date Granted: 平成18年3月20日
Date Granted (W3CDTF): 2006
Dissertation Number: 甲第715号
Degree Type: 博士 (工学)
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-2007-B921
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000008496272
http://id.ndl.go.jp/bib/000008496272
Bibliographic Record Category (NDL): 213