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中性子核変換ドーピングSi半導体(NTD-Si)製造用JRR-3高性能シリコン照射装置の概念設計 (JAEA-technology ; 2007-33)

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中性子核変換ドーピングSi半導体(NTD-Si)製造用JRR-3高性能シリコン照射装置の概念設計

(JAEA-technology ; 2007-33)

国立国会図書館請求記号
Y251-H1588
国立国会図書館書誌ID
000008603634
資料種別
図書
著者
広瀬彰, 和田茂, 楠剛 [著]
出版者
日本原子力研究開発機構
出版年
2007.3
資料形態
ページ数・大きさ等
5, 87p ; 30cm
NDC
-
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資料種別
図書
タイトルよみ
チュウセイシ カク ヘンカン ドーピング Si ハンドウタイ NTD-Si セイゾウヨウ JRR-3 コウセイノウ シリコン ショウシャ ソウチ ノ ガイネン セッケイ
著者・編者
広瀬彰, 和田茂, 楠剛 [著]
シリーズタイトル
出版年月日等
2007.3
出版年(W3CDTF)
2007
数量
5, 87p
大きさ
30cm