Epitaxial growth of 4H-SiC and characterization of deep levels for bipolar power devices

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Epitaxial growth of 4H-SiC and characterization of deep levels for bipolar power devices
• 著者・編者: Katsunori Danno [著]
• 著者標目: 旦野, 克典 ダンノ, カツノリ
• 出版事項: [Katsunori Danno]
• 出版年月日等: [2007]
• 出版年（W3CDTF）: 2007
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: バイポーラ型パワーデバイス実現に向けた4H-SiCのエピタキシャル成長と深い準位の評価 バイポーラガタ パワー デバイス ジツゲン ニ ムケタ 4H-SiC ノ エピタキシャル セイチョウ ト フカイ ジュンイ ノ ヒョウカ
• 授与機関名: 京都大学
• 授与年月日: 平成19年3月23日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2007
• 報告番号: 甲第13015号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2007-H288
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000008618950; http://id.ndl.go.jp/bib/000008618950
• 整理区分コード: 213