Epitaxial growth of 4H-SiC and characterization of deep levels for bipolar power devices

• Material Type: 博士論文
• Title: Epitaxial growth of 4H-SiC and characterization of deep levels for bipolar power devices
• Author/Editor: Katsunori Danno [著]
• Author Heading: 旦野, 克典 ダンノ, カツノリ
• Publication, Distribution, etc.: [Katsunori Danno]
• Publication Date: [2007]
• Publication Date (W3CDTF): 2007
• Extent: 1冊
• Alternative Title: バイポーラ型パワーデバイス実現に向けた4H-SiCのエピタキシャル成長と深い準位の評価 バイポーラガタ パワー デバイス ジツゲン ニ ムケタ 4H-SiC ノ エピタキシャル セイチョウ ト フカイ ジュンイ ノ ヒョウカ
• Degree grantor/type: 京都大学
• Date Granted: 平成19年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 2007
• Dissertation Number: 甲第13015号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2007-H288
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000008618950; http://id.ndl.go.jp/bib/000008618950
• Bibliographic Record Category (NDL): 213